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IRF7464
10000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
20
I D = 0.72A
1000
Ciss = C gs + Cgd, C ds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
16
V DS = 160V
V DS = 100V
V DS = 40V
100
Ciss
Coss
12
8
10
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
1
1
10
100
1000
0
0
2
4
6
8
SEE FIGURE 13
10    12
14
T J = 150 C
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
10
°
100
10
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
1
100us
T J = 25 ° C
1
1ms
T A = 25 C
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V GS = 0 V
0.9     1.0
0.1
1
°
T J = 150 ° C
Single Pulse
10
100
10ms
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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